韓國媒體報道稱，三星電子宣佈對半導體部門進行重大組織架構調整，正式解散成立僅一年的高帶寬內存（HBM）特別開發團隊，並將該團隊的人員與相關業務整體併入DRAM開發部門下屬的設計團隊。
此次調整在日前舉行的高管內部通報會上正式公佈，核心變動為撤銷去年7月專為加速HBM研發而設立的獨立團隊。原團隊成員將統一劃歸至DRAM開發體系，繼續從事高性能存儲技術的研發工作。這一變動意味着HBM業務不再以獨立單元運作，而是融入主流存儲芯片研發架構，強化與現有DRAM產品的協同開發能力。
此前負責領導HBM特別團隊的副社長孫永秀，已在新架構下被任命為DRAM部門設計團隊負責人。他將延續原有職責，帶領原班人馬推進HBM4及HBM4E等下一代高性能存儲產品的技術攻關。
該特別團隊成立於2023年5月，在全永鉉接任半導體部門負責人後迅速組建，旨在集中資源應對當時在HBM市場競爭中落後於對手的局面。如今團隊重組，距離其成立僅過去一年多時間。業內普遍認為，此次調整反映出三星已建立起在HBM4等前沿產品上的核心技術能力，擺脱了早期需通過臨時團隊緊急追趕的被動狀態，開始轉向更深層次的技術整合與系統化研發路徑。
