編輯：ll

SBD1DF100V2H-ASEMI可直接替代安世PMEG10020AELR-QX

型號：SBD1DF100V2H

品牌：ASEMI

封裝：SOD-123FL

正向電流：2A

反向電壓：100V

正向壓降：0.44V~0.47V

引線數量：2

芯片個數：1

芯片尺寸：MIL

漏電流：10ua

恢復時間：35ns

浪涌電流：200A

芯片材質：

正向電壓：1.10V

封裝尺寸：如圖

特性：小家電專用二極管

工作結温：-50℃~150℃

包裝方式：500/管；5000/箱

ASEMI首芯半導體可替代安氏半導體功率器件

在電子設備日益追求高效節能的今天，電源管理元件的性能直接決定了整機的能效與可靠性。SBD1DF100V2H肖特基二極管憑藉其獨特的金屬-半導體結設計，以超低正向壓降（低至0.4V）和極速開關特性（反向恢復時間僅10-40ns），成為高頻開關電源、低壓大電流整流場景的理想選擇。其核心優勢在於通過減少導通損耗和瞬間切換延遲，顯著提升系統效率，尤其適配於5G基站、數據中心電源及新能源逆變器等對響應速度要求嚴苛的領域。

技術革新：精準解決行業痛點

傳統二極管因PN結結構導致的高壓降和恢復損耗，在快節奏電子應用中逐漸顯露出侷限性。SBD1DF100V2H採用貴金屬與N型半導體結合的肖特基勢壘技術，避免了空穴載流子的拖尾效應，實現近乎理想的開關性能。例如，在户外電源的逆變模塊中，該器件可大幅降低熱損耗，確保設備在高原或高温環境下穩定運行，延長電池續航時間。這種設計不僅優化了能效比，還為緊湊型設備騰出了散熱空間，推動產品向輕薄化發展。

B5819WS-ASEMI肖特基二極管的電性參數：正向電流1A；反向電壓40V

B5819WS肖特基二極管被廣泛適用於：新能源汽車、車用、電源、充電器、適配器、LED燈飾、大小家電、民用及工業設備等產品中使用。