編輯：ll

BAT54C-ASEMI可直接替代安世BAT54C

ASEMI首芯半導體可替代安氏半導體功率器件

型號：BAT54C

品牌：ASEMI

封裝：SOT-23

特性：肖特基二極管

正向電流：0.2A

反向耐壓：30V

恢復時間：35ns

引腳數量：2

芯片個數：1

芯片尺寸：MIL

浪涌電流：120A

漏電流：10ua

工作温度：-55℃~150℃

包裝方式：500/盤；5000/箱

備受歡迎的BAT54C-ASEM肖特基二極管

ASEMI品牌BAT54C是採用工藝芯片，該芯片具有良好的穩定性及抗衝擊能力，能夠持續保證了BAT54C的漏源電流0.2A，漏源擊穿電壓30V.

BAT54C，ASEMI品牌，工藝芯片，工藝製造，該產品穩定性高，抗衝擊能力強。

BAT54C具體參數為：正向電流：0.2A，反向耐壓：30V，反向恢復時間： 35ns，封裝：SOT-23

核心優勢：三大亮點，重塑電路能效邊界

超低正向壓降，功耗 “瘦身” 利器：BAT54C 採用先進的肖特基勢壘工藝，正向壓降低至 0.32V（典型值），相比傳統硅二極管，能大幅減少導通損耗。在電池供電設備中，這意味着更長的續航時間 —— 比如智能手錶的電源管理模塊、藍牙耳機的充電迴路，BAT54C 能讓每一分電量都用在刀刃上，助力設備突破續航瓶頸。

高頻響應快，信號傳輸 “無延遲”：憑藉獨特的結構設計，BAT54C 的反向恢復時間僅為幾納秒，幾乎可以忽略不計。這一特性使其在高頻開關電源、射頻電路、高速數據接口中表現卓越，既能保證信號傳輸的完整性，又能降低電路的開關損耗，讓設備運行更流暢、發熱更少。

小體積高集成，空間利用 “最大化”：BAT54C 採用 SOT-23 封裝，體積小巧緊湊，佔位面積僅 2.9mm×1.3mm，非常適合高密度 PCB 設計。無論是輕薄的智能手機、微型傳感器，還是空間受限的工業控制模塊，它都能輕鬆嵌入，為產品小型化、便攜化提供更多設計空間。