B5819W-ASEMI可直接替代安世PMEG4010CEGW

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B5819W-ASEMI可直接替代安世PMEG4010CEGW

ASEMI首芯半導體可替代安氏半導體功率器件

型號：B5819W

品牌：ASEMI

封裝：SOD-123

正向電流：1A

反向電壓：40V

正向壓降：0.44V~0.47V

引線數量：2

芯片個數：1

芯片尺寸：MIL

漏電流：10ua

恢復時間：35ns

浪涌電流：200A

芯片材質：

正向電壓：1.10V

封裝尺寸：如圖

特性：小家電專用二極管

工作結温：-50℃~150℃

包裝方式：500/管；5000/箱

B5819W肖特基二極管：高效能電源管理的理想之選

在電子設備追求低功耗與高可靠性的今天，肖特基二極管憑藉其獨特的金屬-半導體結特性，成為電源電路設計的核心元件。B5819W作為一款經典肖特基二極管型號，以卓越的電氣性能和緊湊封裝，在消費電子、工業控制及便攜設備中展現出廣泛的應用價值。

核心優勢：低損耗與快速響應的完美融合

B5819W採用SOD-123封裝，體積小巧卻藴含強大性能。其正向壓降低至0.45V（額定電流），顯著減少電路能耗，特別適合電池供電設備；反向恢復時間極短，確保高頻信號處理的穩定性。這些特性使其成為電源管理、信號檢測等場景的理想選擇。

典型應用場景

開關電源：作為續流二極管，有效抑制電壓尖峯，提升轉換效率

電池充電器：在鋰電池充電電路中減少電壓損耗，提高充電效率

DC-DC轉換器：利用快速開關特性實現高效能量轉換

保護電路：防止反接電流損壞敏感元件，增強系統可靠性

B5819W-ASEMI可直接替代安世PMEG4010CEGW

ASEMI首芯半導體可替代安氏半導體功率器件

型號：B5819W

品牌：ASEMI

封裝：SOD-123

正向電流：1A

反向電壓：40V

正向壓降：0.44V~0.47V

引線數量：2

芯片個數：1

芯片尺寸：MIL

漏電流：10ua

恢復時間：35ns

浪涌電流：200A

芯片材質：

正向電壓：1.10V

封裝尺寸：如圖

特性：小家電專用二極管

工作結温：-50℃~150℃

包裝方式：500/管；5000/箱

B5819W肖特基二極管：高效能電源管理的理想之選

在電子設備追求低功耗與高可靠性的今天，肖特基二極管憑藉其獨特的金屬-半導體結特性，成為電源電路設計的核心元件。B5819W作為一款經典肖特基二極管型號，以卓越的電氣性能和緊湊封裝，在消費電子、工業控制及便攜設備中展現出廣泛的應用價值。

核心優勢：低損耗與快速響應的完美融合

B5819W採用SOD-123封裝，體積小巧卻藴含強大性能。其正向壓降低至0.45V（額定電流），顯著減少電路能耗，特別適合電池供電設備；反向恢復時間極短，確保高頻信號處理的穩定性。這些特性使其成為電源管理、信號檢測等場景的理想選擇。

典型應用場景

開關電源：作為續流二極管，有效抑制電壓尖峯，提升轉換效率

電池充電器：在鋰電池充電電路中減少電壓損耗，提高充電效率

DC-DC轉換器：利用快速開關特性實現高效能量轉換

保護電路：防止反接電流損壞敏感元件，增強系統可靠性