電感是什麼？
電感（Inductor）是“能把電能暫時轉換成磁能、又能把磁能重新轉換成電能”的被動元件。
核心公式
V=-L*di/dt
L：電感量，單位（H）
di/dt：電流隨時間的變化率
-：楞次定律
作用
（1）儲能：開關導通期間“蓄磁”，關斷後向負載續流，實現能量搬移。
（2）濾波：與電容組成LC網絡，抑制紋波或高頻干擾。
（3）阻抗匹配：利用感抗XL=2πfL與電容形成諧振，實現選頻、阻抗變換。
（4）抑制突變：利用“電流不能突變特性”，限制di/dt，保護開關管/驅動管。
電感在選型時要看哪些參數（以Bourns電感為例）？
（1）電感量（L)
電感對電流變化的阻礙能力，單位H。
（2）直流電阻（DCR）
電感導線在直流下的純歐姆電阻，導致熱損耗。
（3）飽和電流（Isat）
電感量因磁芯飽和而下跌到標稱值 80 % 時所對應的直流電流。
(4)額定温升電流（Irms）
使電感本體温度比環境温度高 40 °C 時所允許持續流過的有效值電流。
（5）自諧振頻率（SRF）
電感與其自身寄生電容發生並聯諧振、阻抗達到最大時的頻率；超過該頻率電感“變成電容”。
（6）品質因數（Q)
在指定頻率下，感抗 XL 與等效串聯交流電阻 Rac 的比值，越高表示儲能與損耗的比值越大。
（7）磁芯材料
決定電感量、飽和特性、頻率特性及温度穩定性的“磁性骨架”種類。
（8）散熱/封裝
把線圈固定成可焊接器件的外形尺寸及熱阻，直接影響板級散熱與銅皮面積需求。
**注意
（1）Isat與Irms同時確定一個型號
（2）關注電感温漂
（3）關注SRF，防止變電容
（4）注意散熱導致的降額
電感的作用
Buck降壓
作用：儲能+濾波，將方波能量“抹平”
舉例：（以24V→5V/3A的Buck為例）
（1）電感量
取fsw=500kHz，ΔIripple=30%*3A=0.9A
L≈(Vout*(Vin-Vout))/(Vin*fsw*ΔIripple)≈8.3uH，取標準值10uH。
（2）峯值電流
Ipeak=Iload+ΔIripple/2=3+0.45=3.45A
Isat≥1.3*Ipeak≈4.5A
（3）看Irms與DCR
選Irms≥3A，DCR≤30mΩ（銅損≈I²R=0.27W）
（4）高頻特性
開關頻率500kHz，選SRF≥3*0.5MHz=1.5MHz；Q在500kHz處≥10即可。
**Q值怎麼算？
Rac（串聯等效電阻）=XL/Q
XL=2πfl=2*3.14*500kHz*10uH≈31Ω
Pac（ac損耗）=Irms²*rac，Irms≈0.26A，此時Pac=0.26²*31/Q=2/Q
功率損耗=2/Q/（5V*3A）=2/15Q（此時當Q取10時，損耗為1.3%，完全可接受）
（5）熱驗證
測量電感表面温升，若≥40%，換更大封裝或更低DCR型號。
Bost升壓
作用：儲能把低電壓升高
舉例：（以12V→24V/1A，300kHz的Boost為例）
（1）電感量
D(佔空比)=(Vout-Vin)/Vout=(24-12)/24=0.5
IL,avg(平均電感電流)=Iout/(1-D)=1A/(1-0.5)=2A
ΔIL(紋波電流)=k(取0.25經驗值)*IL,avg=0.25*2A=0.5A
L=Vin*D/(ΔIL*fsw)=12V*0.5/(0.5A*300kHz)=40uH
取標稱39uH電感
（2）峯值電流
IL，peak=2A+0.25A(紋波電流/2)=2.25A
（3）飽和電流
Isat≥0.3*2.25A≈2.9A
（4）温升電流
Irms≥2A
（5）高頻特性
SRF≥3*0.3MHz=0.9MHz
射頻 LC 諧振（天線輸出匹配)
應用場合：
Wi-Fi、藍牙、ZigBee、GNSS 等 GHz 射頻前端，PA 輸出到天線之間。
電感作用：
與微帶/電容組成 π 型、L 型網絡，把 50 Ω 饋線阻抗變換到天線所需復阻抗（如 30+j20 Ω），實現共軛匹配，最大化功率輻射。
關鍵參數：
電感量：nH 級，誤差 ±2 %（高頻敏感）。
Q@工作頻率：≥ 30（低 Rac 減少插入損耗）。
SRF：≥ 3×f0（防自諧成“電容”）。
封裝：0402/0603，可 50 Ω 線直連，減小寄生。
EMI 共模扼流（USB 數據線濾波）
應用場合：
USB2.0/3.x、HDMI、CAN、LVDS 等高速差分線，靠近插座/連接器。
電感作用：
對共模噪聲呈現高阻抗（>>200 Ω@100 MHz），把 USB 3.2 的 5 GHz 諧波、PC 時鐘泄漏等“同相”干擾攔住；差分信號幾乎無衰減，保信號完整度。
關鍵參數：
共模阻抗 |ZCM|：200-600 Ω@100 MHz（視所需衰減）。
漏感（差模阻抗）：
額定電流：≥ 500 mA（USB2.0 High-Speed）或 ≥ 1 A（Type-C 5 V/3 A）。
封裝：5×5 mm 以下，高度 ≤2 mm，貼板邊。
無線充電發射線圈（Qi 5 W）
應用場合：
Qi 標準手機充電器、車載 pad、TWS 耳機倉。
電感作用：
與諧振電容 Cres 組成 100 kHz 串聯諧振，把 DC 逆變的方波變成正弦，建立交變磁場；通過互感給接收線圈“隔空”送 5 W。
關鍵參數：
線圈電感量：24-30 µH（Qi 定義 100 kHz±5 %）。
Q@100 kHz：≥ 30（利茲線/多股線降趨膚損耗）。
Isat：≥ 5 A（5 W 級別峯值電流）。
外徑/厚度：Φ50 mm×2 mm 常見，需與磁吸/鋁殼兼容。
繼電器線圈續流（尖峯吸收）
應用場合：
汽車、工業 PLC、家電板上的 12 V/24 V 繼電器、電磁閥、電機繞組。
電感作用：
開關關斷瞬間提供“續流回路”，把線圈儲能通過二極管/TVS 泄放，避免 >100 V 反向尖峯擊穿驅動 MOS 或 MCU。
關鍵參數：
線圈電感量：由繼電器本身決定（幾十-幾百 mH）。
二極管：反向耐壓 ≥ 1.5×VCC，電流 ≥ 線圈穩態電流。
響應速度：若需快速釋放，可用 TVS+電阻，或齊納二極管反向擊穿 30-33 V。
