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SBD1DF40V1H-ASEMI可直接替代安世PMEG3010EGW

ASEMI首芯半導體可替代安氏半導體功率器件

型號：SBD1DF40V1H

品牌：ASEMI

封裝：SOD-123FL

特性：肖特基二極管

正向電流：1A

反向耐壓：40V

恢復時間：35ns

引腳數量：2

芯片個數：1

芯片尺寸：MIL

浪涌電流：125A

漏電流：10ua

工作温度：-55℃~150℃

包裝方式：500/盤；5000/箱

備受歡迎的SBD1DF40V1H-ASEM肖特基二極管

ASEMI品牌SBD1DF40V1H是採用工藝芯片，該芯片具有良好的穩定性及抗衝擊能力，能夠持續保證了SBD1DF40V1H的漏源電流1A，漏源擊穿電壓40V.

SBD1DF40V1H，ASEMI品牌，工藝芯片，工藝製造，該產品穩定性高，抗衝擊能力強。

SBD1DF40V1H具體參數為：正向電流：1A，反向耐壓：40V，反向恢復時間： 35ns，封裝：SOD-123FL

在電子設備追求極致能效與高頻響應的今天，肖特基二極管憑藉其獨特的金屬-半導體結結構，成為低壓大電流場景下的理想選擇。SBD1DF40V1H作為40V耐壓肖特基二極管的代表型號，以低正向壓降、超快開關速度及卓越的耐温性能，重新定義了高頻整流與電源管理的能效標準。

核心技術：金屬-半導體結的能效突破

與傳統PN結二極管相比，SBD1DF40V1H採用鉬或鋁等金屬與N型半導體形成肖特基勢壘，顯著降低正向導通壓降（典型值0.3V），減少能量損耗的同時提升電源效率。其反向恢復時間僅為勢壘電容充放電時間，徹底消除電荷儲存效應，使得開關速度遠超普通二極管，輕鬆應對微波級高頻應用。此外，40V反向耐壓設計兼顧了低壓場景的安全性與穩定性，避免因電壓波動導致的器件失效