編輯:ll SBD1DF40V1H-ASEMI可直接替代安世PMEG3010EGW ASEMI首芯半導體可替代安氏半導體功率器件 型號:SBD1DF40V1H 品牌:ASEMI 封裝:SOD-123FL 特性:肖特基二極管 正向電流:1A 反向耐壓:40V 恢復時間:35ns 引腳數量:2 芯片個數:1 芯片
編輯:ll SBD521S-30-ASEMI可直接替代安世1PS79SB10 型號:SBD521S-30 品牌:ASEMI 封裝:SMAF 正向電流:0.2A 反向電壓:30V 正向壓降:0.55V~0.95V 引線數量:2 芯片個數:1 芯片尺寸:MIL 漏電流:10ua 恢復時間:35ns 浪涌電流