編輯:ll BAT54CW-ASEMI可直接替代安世BAT54CW ASEMI首芯半導體可替代安氏半導體功率器件 型號:BAT54CW 品牌:ASEMI 封裝:SOT-323 特性:肖特基二極管 正向電流:0.1A 反向耐壓:30V 恢復時間:35ns 引腳數量:2 芯片個數:1 芯片尺寸:MIL 浪涌
編輯:ll SBD1DF40V1H-ASEMI可直接替代安世PMEG3010EGW ASEMI首芯半導體可替代安氏半導體功率器件 型號:SBD1DF40V1H 品牌:ASEMI 封裝:SOD-123FL 特性:肖特基二極管 正向電流:1A 反向耐壓:40V 恢復時間:35ns 引腳數量:2 芯片個數:1 芯片
編輯:ll SBD1DF100V2H-ASEMI可直接替代安世PMEG10020AELR-QX 型號:SBD1DF100V2H 品牌:ASEMI 封裝:SOD-123FL 正向電流:2A 反向電壓:100V 正向壓降:0.44V~0.47V 引線數量:2 芯片個數:1 芯片尺寸:MIL 漏電流:10ua 恢復
編輯:ll SBD3D60V1H-ASEMI可直接替代安世PMEG6010CEJ ASEMI首芯半導體可替代安世半導體功率器件 型號:SBD3D60V1H 品牌:ASEMI 封裝:SOD-323 特性:肖特基二極管 正向電流:1A 反向耐壓:60V 恢復時間:35ns 引腳數量:2 芯片個數:1 芯片尺寸:M
編輯:ll B5817W-ASEMI可直接替換安世PMEG2005EH ASEMI首芯半導體可替代安氏半導體功率器件 型號:B5817W 品牌:ASEMI 封裝:SOD-123 特性:肖特基二極管 正向電流:1A 反向耐壓:20V 恢復時間:35ns 引腳數量:2 芯片個數:1 芯片尺寸:MIL 浪涌電
編輯:ll B5819WS-ASEMI可直接替代安世PMEG4010CEJ 型號:B5819WS 品牌:ASEMI 封裝:SOD-123 正向電流:1A 反向電壓:40V 正向壓降:0.44V~0.47V 引線數量:2 芯片個數:1 芯片尺寸:MIL 漏電流:10ua 恢復時間:35ns 浪涌電流:20
編輯:ll B5819W-ASEMI可直接替代安世PMEG4010CEGW ASEMI首芯半導體可替代安氏半導體功率器件 型號:B5819W 品牌:ASEMI 封裝:SOD-123 正向電流:1A 反向電壓:40V 正向壓降:0.44V~0.47V 引線數量:2 芯片個數:1 芯片尺寸:MIL 漏電流:10u
編輯:ll BAT54C-ASEMI可直接替代安世BAT54C ASEMI首芯半導體可替代安氏半導體功率器件 型號:BAT54C 品牌:ASEMI 封裝:SOT-23 特性:肖特基二極管 正向電流:0.2A 反向耐壓:30V 恢復時間:35ns 引腳數量:2 芯片個數:1 芯片尺寸:MIL 浪涌電流:1
編輯:ll SBD3DF40V1H-ASEMI可直接替代安世PMEG4005EJ 型號:SBD3DF40V1H 品牌:ASEMI 封裝:SOD-323 正向電流:1A 反向電壓:40V 正向壓降:0.44V~0.47V 引線數量:2 芯片個數:1 芯片尺寸:MIL 漏電流:10ua 恢復時間:35ns
編輯:ll SBD521S-30-ASEMI可直接替代安世1PS79SB10 型號:SBD521S-30 品牌:ASEMI 封裝:SMAF 正向電流:0.2A 反向電壓:30V 正向壓降:0.55V~0.95V 引線數量:2 芯片個數:1 芯片尺寸:MIL 漏電流:10ua 恢復時間:35ns 浪涌電流
編輯:ll BAT54S-ASEMI可直接替代安世BAT54S-QR 型號:BAT54S 品牌:ASEMI 封裝:SOT-23 正向電流:0.2A 反向電壓:30V 正向壓降:0.55V~0.95V 引線數量:2 芯片個數:1 芯片尺寸:MIL 漏電流:10ua 恢復時間:35ns 浪涌電流:80A